《硅基GaN HEMT和SJ MOSFET技术及成本比较》

GaN on Si HEMT vs SJ MOSFET: Technology and Cost Comparison——逆向分析报告

和GaN器件相比，超结MOSFET还有吸引力吗?这份报告提供了最前沿的600/650V功率器件的深度分析，从技术和经济角度分析了超结（super junction，SJ）MOSFET和GaN HEMT的不同，包括材料、制造工艺、封装结构、芯片尺寸、电学性能等方面。

主流功率器件厂商的产品路线图（样刊模糊化）

功率器件Rdson的技术变化图1998年，英飞凌（Infineon）第一次发布了商业化的超结技术，随后新的厂商不断进入这个市场，而传统厂商则通过尽量降低生产成本或者开发新的技术不断保持领先。

英飞凌超结MOSFET产品逆向分析（样刊模糊化）

东芝超结MOSFET产品逆向分析（样刊模糊化）另一方面，硅基氮化镓（GaN）高迁移率晶体管（HEMT）提供了新的能力，包括更高的工作频率以及越来越具有竞争性的制造成本。

GaN System GaN HEMT产品逆向分析（样刊模糊化）

Transphorm/On semiconductorGaN HEMT产品逆向分析（样刊模糊化）麦姆斯咨询认为，硅基GaN HEMT是进入600/650V功率器件市场理想的候选者，但同时超结MOSFET性能的不断改进使得其依然保持着市场竞争力，逐渐成为标准和通用器件。本报告逆向分析了超过30种不同厂商的器件，展现了超结MOSFET和硅基GaN HEMT技术的革新，同时这份报告还包括了详细的器件结构以及加工制造成本分析。

不同厂商的功率器件性能分析表格（样刊模糊化）

不同厂商的功率器件芯片结构以及成本比较（样刊模糊化）若需要《硅基GaN HEMT和SJ MOSFET技术及成本比较》样刊，请发E-mail：wangyi#memsconsulting.com（#换成@）。