美国开发出不依赖半导体的微电子器件

美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。论文链接：http://www.nature.com/articles/ncomms13399Photoemission-based microelectronic devices 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自由电子替代半导体材料通常需要高电压、大功率激光或高温激发。该团队在硅片上用金加工出一种类似蘑菇形状的纳米结构（称为“超材料”结构），在10伏以下的直流电压和低功率红外激光激发下，即可释放自由电子，从而极大地提高器件的电导率。

这一器件不可能完全替代半导体器件，但可能在特殊需求下得到最佳应用，如超高频器件或大功率器件。未来不同的超材料表面结构可能适用于不同类型的微电子器件，应用于光化学、光催化、光伏转化等领域。来源：科技部热门阅读卫星遥感探测原理与数据应用雷达典型应用与常见类型激光雷达及其应用领域前沿评述：毫米波与太赫兹技术室内定位技术：分类、方法与应用综述解析通讯组件：由基带、中频、射频零部件七大室内定位技术PK哪种技术更适合你?无线电、电磁波、无线电波是怎样被发现，怎样在空中传播应用的?卫星导航定位系统与原理关于SAR的研究热点——几点思考航空公司也卖“站票”?诈骗短信看上去好弱智，骗子是不是傻?传销是怎么产生的?科技与艺术|TerraSAR-X/TanDEM-X SAR影像欣赏附视频|龙之眼-盘点国产相控阵雷达