双工器设计心得
05-08
TX.RX抽头线离地越近,耦合越弱,时延大,耦合越强,损耗小,带宽宽,驻波好,时延好。
1. ANT抽头线位置越下,耦合越弱,时延越大,离腔壁越近耦合越强,时延越小,TX RX与ANT相反越近越弱。
2. 抽头引线越细耦合越弱。
3. 交叉耦合改善带宽,圆盘离柱越近耦合越强,越远越弱,圆盘大耦合强,圆盘小就弱,耦合强零点高,抑制差,耦合弱抑制好,零点低。
4. 抽头线定位:(时延定抽头位置)时延大则将抽头对地高增大,可降低时延,时延小则将抽头下降,可增大时延。测试时可将抽头腔附近耦合窗短路为单腔真实值。
5. 降低时延的方法:①增大抽头对地高 ②ANT减小与腔壁的距离 ③增大耦合 ④TXRX增大与腔壁的距离
6. 抽头线高频高,低频低。
7. 当n为奇数时用圆腔,N为偶数时用方腔,腔数越多抑制越好,体积越大损耗越小,多级耦合:从ANT依次排级,第一级控制带外近零点,第二级控制远零点,一级长,二级短。
8. 电感耦合时导线越细耦合越弱,离盖板越近也越弱,越远越强。
9. 接收比发射交叉耦合长。
10. 导体越近离窗口要越小,越远窗口要越大,如果窗口开最大还不行就将导体靠近
11. 主钉进太深就加盘,加盘损耗变大,通过功率变小,一般主钉不进深,以免影响通过功率
12. 温漂计算公式:铝系数(22)x fo温度范围/10的6次方
13. 耦合器两平行微带线宽对驻波影响,两线间隔影响耦合度,电阻位置影响
14. 端口时延大说明耦合弱,将抽头线上移
15. 群时延调试方法:①设低高端中心频率,用时延对公共ANT抽头线位置 ②将每个群时延数据调到波峰或波谷,可调相邻耦合杆直到波形对称,chan/设时延,S11参考线4div chan2设log损耗S21 ③从天线ANT开始排腔4腔,其余从TX或RX排3腔 ④转换log进行最后微调直到所有指标匀合格
16. 频率越高,腔体越矮;频率越低,腔体越高。
17. 频率间隔越近隔离越差,频率间隔越远隔离越高。
调试心得:
1.驻波下不来,将抽头线向上移点,改下后只调抽头附近两腔,还不行将导线加粗。
2. 耦合杆均匀下深损耗小,抑制差,通带宽,下得浅反之。
3.相隔两腔用镀银线代替跨线耦合。
4.每个调协杆均匀进或退可使通带向高或低偏,进则通带向低频偏,退则向高频偏。
5.先存一个通带再接另一端口看交叉点。
6.电感耦合离腔体盖板越近耦合越弱,越远越强。
7. 电容耦合离腔体盖板越近耦合越强,越远越弱。越长也越强!
8. 端口耦合下太深抽头要下降,进太浅则上深!
9.一般RX比TX窗口要大,抽头腔可一样大!
10.频率高腔体矮,低则腔体高!
11.一般正耦合为电容耦合(C耦合)
负耦合为电感耦合(L耦合)
经验
1. 一般圆柱直径与腔体边长之比为1:3.2—3.6之间,因此时QU值最大。损耗低。(缺定住子外经大下用腔体边长乘以0.29)
2. 双工器的窗口规律是输入输出大,中间小。窗口大耦合强,窗口小耦合弱,窗口大小是根据耦合杆进入的深度来判断,太深则耦合弱窗口小,太浅则窗口大耦合太强。
3. 耦合弱时抑制高,插损大,驻波大,时延大,时延大,抽头位置也下
4. 飞杆长耦合强,飞杆短耦合弱(飞杆指交叉耦合)
飞杆盘大耦合强,飞杆盘小耦合弱。
5. ANT抽头离腔体壁越近耦合越强,时延小。RX或TX正好相反
6. 端口耦合进太深抽头要下降,进太浅抽头要上升。
7. 当抑制不够时,高端要电容耦合,低端加电感耦合,对称加装。
交叉耦合安装的三种方式:
①零点对称 ②对低抑制 ③对高抑制
8. 如果带宽太窄可以用多些腔多级交叉耦合,(腔体多可减小带宽)窗口要开小些,腔体大且深插损小。
9. 电容耦合对低抑制,电感耦合对高抑制,频率近用双边抑制。
10. 设计时带宽太宽,腔体个数就少。越窄腔体个数就多。
11. 大功率双工器解决方案:
a. 将调谐杆尽量少入腔内
b. 调谐杆下端成圆柱
c. 谐振杆加粗娈短
d. 腔体加大。
1. ANT抽头线位置越下,耦合越弱,时延越大,离腔壁越近耦合越强,时延越小,TX RX与ANT相反越近越弱。
2. 抽头引线越细耦合越弱。
3. 交叉耦合改善带宽,圆盘离柱越近耦合越强,越远越弱,圆盘大耦合强,圆盘小就弱,耦合强零点高,抑制差,耦合弱抑制好,零点低。
4. 抽头线定位:(时延定抽头位置)时延大则将抽头对地高增大,可降低时延,时延小则将抽头下降,可增大时延。测试时可将抽头腔附近耦合窗短路为单腔真实值。
5. 降低时延的方法:①增大抽头对地高 ②ANT减小与腔壁的距离 ③增大耦合 ④TXRX增大与腔壁的距离
6. 抽头线高频高,低频低。
7. 当n为奇数时用圆腔,N为偶数时用方腔,腔数越多抑制越好,体积越大损耗越小,多级耦合:从ANT依次排级,第一级控制带外近零点,第二级控制远零点,一级长,二级短。
8. 电感耦合时导线越细耦合越弱,离盖板越近也越弱,越远越强。
9. 接收比发射交叉耦合长。
10. 导体越近离窗口要越小,越远窗口要越大,如果窗口开最大还不行就将导体靠近
11. 主钉进太深就加盘,加盘损耗变大,通过功率变小,一般主钉不进深,以免影响通过功率
12. 温漂计算公式:铝系数(22)x fo温度范围/10的6次方
13. 耦合器两平行微带线宽对驻波影响,两线间隔影响耦合度,电阻位置影响
14. 端口时延大说明耦合弱,将抽头线上移
15. 群时延调试方法:①设低高端中心频率,用时延对公共ANT抽头线位置 ②将每个群时延数据调到波峰或波谷,可调相邻耦合杆直到波形对称,chan/设时延,S11参考线4div chan2设log损耗S21 ③从天线ANT开始排腔4腔,其余从TX或RX排3腔 ④转换log进行最后微调直到所有指标匀合格
16. 频率越高,腔体越矮;频率越低,腔体越高。
17. 频率间隔越近隔离越差,频率间隔越远隔离越高。
调试心得:
1.驻波下不来,将抽头线向上移点,改下后只调抽头附近两腔,还不行将导线加粗。
2. 耦合杆均匀下深损耗小,抑制差,通带宽,下得浅反之。
3.相隔两腔用镀银线代替跨线耦合。
4.每个调协杆均匀进或退可使通带向高或低偏,进则通带向低频偏,退则向高频偏。
5.先存一个通带再接另一端口看交叉点。
6.电感耦合离腔体盖板越近耦合越弱,越远越强。
7. 电容耦合离腔体盖板越近耦合越强,越远越弱。越长也越强!
8. 端口耦合下太深抽头要下降,进太浅则上深!
9.一般RX比TX窗口要大,抽头腔可一样大!
10.频率高腔体矮,低则腔体高!
11.一般正耦合为电容耦合(C耦合)
负耦合为电感耦合(L耦合)
经验
1. 一般圆柱直径与腔体边长之比为1:3.2—3.6之间,因此时QU值最大。损耗低。(缺定住子外经大下用腔体边长乘以0.29)
2. 双工器的窗口规律是输入输出大,中间小。窗口大耦合强,窗口小耦合弱,窗口大小是根据耦合杆进入的深度来判断,太深则耦合弱窗口小,太浅则窗口大耦合太强。
3. 耦合弱时抑制高,插损大,驻波大,时延大,时延大,抽头位置也下
4. 飞杆长耦合强,飞杆短耦合弱(飞杆指交叉耦合)
飞杆盘大耦合强,飞杆盘小耦合弱。
5. ANT抽头离腔体壁越近耦合越强,时延小。RX或TX正好相反
6. 端口耦合进太深抽头要下降,进太浅抽头要上升。
7. 当抑制不够时,高端要电容耦合,低端加电感耦合,对称加装。
交叉耦合安装的三种方式:
①零点对称 ②对低抑制 ③对高抑制
8. 如果带宽太窄可以用多些腔多级交叉耦合,(腔体多可减小带宽)窗口要开小些,腔体大且深插损小。
9. 电容耦合对低抑制,电感耦合对高抑制,频率近用双边抑制。
10. 设计时带宽太宽,腔体个数就少。越窄腔体个数就多。
11. 大功率双工器解决方案:
a. 将调谐杆尽量少入腔内
b. 调谐杆下端成圆柱
c. 谐振杆加粗娈短
d. 腔体加大。
求腔体合路器调试技巧 abc4175@163.com
高端大气上档次
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顶顶!休息哈嘛,清明节
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虽然是老调重弹,但还是要支持
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求腔体合路器调试技巧 abc4175@163.com
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太给力了
大婶们都好厉害的
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高端大气上档次
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