功放记忆效应

请问各位大侠，解决预失真线性功放的记忆效应有什么方法。我看了一些资料，介绍了一种方法，做一个谐振回路，短路二次谐波和包络波，但是没有效果。请问哪位高人指点一下，这种方法的可行性，或者介绍其他的方法和资料，谢了。

不懂不懂

数字预失真

这块了解不多，泛泛而谈，记忆效应大都在硬件电路层次解决的，预失真很难消除。
对于功放来说，最重要的是功放管的Cds，这点是LDMOS的先天缺陷，GaN会好很多。
其次是偏置电路的视频带宽。这块是可能实现的。
还有一点是动态热效应，最好能够使功放管散热良好。

那做一个谐振回路有实现的可能性吗?

需要具体问题具体分析，找到记忆效应的主要原因才行。

其实只要在漏极馈电上做一些文章，比如双偏置，更换滤波电容等可以很好的解决记忆效应。

谢谢，现在就是双偏置，我试试看，换滤波电容

还有其他办法嘛?

关于解决记忆效应从我们自己能处理的方面，jetfighter大哥提到的提高视频带宽是一个很好的办法，并且也切实可行，后面补充的采用双馈电，修改漏极的馈电只是解决记忆效应的具体操作方法，一般保证VBW是信号带宽的3-5倍即可，

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功放的记忆效应跟视频带宽其实是一个概率，只是记忆效应是从时域来定义的，视频带宽是从频域来定义的，因为从实际调试来看，时域没有仪器可以很直观的看，所以都是调试视频带宽来减小记忆效应，调试视频带宽的一个很好的方法就是调试功放管的漏极（即供电电路），一种是给功放管两边都设计同样的偏置电路，一种是在给管子供电的附近并1uF的电容，2种都用的话效果更好。