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欢迎讨论:SIWAVE与HFSS微带线仿真对比!

05-08

欢迎讨论:SIWAVE与HFSS微带线仿真对比!
仅仅作为仿真,结构并不一定非常合理
微带线宽10mil
微带线厚2mil
微带长度5010mil
中间介质厚10mil,介电常数4.4(按仿真工具里面默认的FR4选择)
参考面厚2mil
TDR仿真设置:
rise time:100ps;della time:10ps
在SIWAVE中画一根5010mil的走线;有一个完整的参考平面
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下


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在HFSS中,画一个参数化结构,PCB长宽100mil X 100mi,端口使用内嵌deembed功能(-4190mil)
使用终端驱动摸索,waveport端口处的的设置:
sheet宽是走线的5倍关系,长是微带线与介质厚度的11倍关系
然后得出的S参数与TDR仿真结果如下


问题:
(1)siwave仿真的结果跟使用polar的仿真结果基本接近;hfss怎差了好几欧;这样的结果是否是正确的
3d与2d的适应范围与精度是如何进行评估呢?
(2)因为目前没使用仪器测试过TDR,希望有经验的朋友能提供一些仿真与实测的数据对比结果
(3)从史密斯园可以看出那些情况?转的圈数是不是就是谐振点数?也就是这跟走线上经过的波的数量?如何能快速了解这跟走线到底走了多少波长?
(4)如果在hfss按照微带5010mil长度建模,好像仿真得出的结果差异非常大,不知道这个结果是不是跟模型走线过长,存在严重的辐射边界反射导致的?在正确使用waveport的时候应该注意那些问题?下图是这个的仿真结果,看着比较诡异





没有siwave软件啊

eetop上有

有破解版本的?

昨天画的确实有点问题,今天查了一遍官方给出的波端口sheet尺寸比例设置要求
更正了绘制sheet的一个错误:线宽大于等于介质厚度时使用10w宽度

线长10mil,空气腔体尺寸紧贴波端口sheet

驱动模式使用积分线:65.7136
终端驱动:65.2749

与使用2.5D工具算出的结果接近

不过目前针对连续的理想传输线,貌似这样可以花比较短的时间即可得出任意长度的S参数

对于非理想传输线,如果非得建立一个比较长的结构体的话,边界条件应该如何设置比较好?
是不是必须考虑四分之一波长的反射问题?
像0-10GHZ全波宽带仿真,如果设置与端口距离四分之一波长 这个腔体貌似也会比较大
在实际的工程应用中应该如何处理类似这样的仿真呢?



现在对这个资料给出的结构关系比较质疑
例如假设介质厚度为100mil,这个时候如果宽度按5w算感觉得出的结果是错的
实际我调整后,到了50w,高度到4h
我是观察了波端口的电场分布,尽量然电场分布均包含在这个范围内
得出的结果就与polar算的结果类似(polar算的结果是146.5)
hfss算出的147.46
现在的感觉用hfss算不同结构尺寸的传输线阻抗确实比较麻烦一些
不知道是否有比较好的方法
不对的地方请指正


你HFSS的激励模式是选的什么?

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