基准电流源电阻的确定？（Thomas H.Lee教材）
05-08
在Thomas H.Lee《CMOS射频集成电路设计(2004第二版) 》的第12章有一个关于LNA的设计实例，如图。
不知道采用的“基准电流源偏置”中两个电阻值“1k欧姆”和“2k欧姆”的值什么怎么来的?求助大家！谢谢！
是不是有公式求解！原文中偏置电流是5mA，如果变成6mA或其它，又该如果确定这两个电阻值?
参考了电流源的相关书籍，这个实例中采用的电流源偏置，都不是其它教材里有的。Thomas H.Lee也只说到，
“晶体管M3基本上是与M1形成一个电流镜，并且它的宽度是M1宽度的几分之一，从而使偏置电路的附加功耗寄到最小。通过M3的电流是由电源电压和Rref以及M3的Vgs决定的。电阻Rbias选得足够大，所以它的等效噪声电流小到足以被忽略。在50ohm的系统中，几百欧姆至一千欧姆左右的值是比较合适的。因此我们将它的值选为2kohm。M1的偏置电流为5mA。”
“偏置晶体管的宽度和电流人为地选为主晶体管的1/10，虽然图中显示了一个简单的“基准电流源”，但最好采用一个恒gm的偏置源来稳定增益和输入阻抗以克服温度及电源电压的影响。”
不知道采用的“基准电流源偏置”中两个电阻值“1k欧姆”和“2k欧姆”的值什么怎么来的?求助大家！谢谢！
是不是有公式求解！原文中偏置电流是5mA，如果变成6mA或其它，又该如果确定这两个电阻值?
参考了电流源的相关书籍，这个实例中采用的电流源偏置，都不是其它教材里有的。Thomas H.Lee也只说到，
“晶体管M3基本上是与M1形成一个电流镜，并且它的宽度是M1宽度的几分之一，从而使偏置电路的附加功耗寄到最小。通过M3的电流是由电源电压和Rref以及M3的Vgs决定的。电阻Rbias选得足够大，所以它的等效噪声电流小到足以被忽略。在50ohm的系统中，几百欧姆至一千欧姆左右的值是比较合适的。因此我们将它的值选为2kohm。M1的偏置电流为5mA。”
“偏置晶体管的宽度和电流人为地选为主晶体管的1/10，虽然图中显示了一个简单的“基准电流源”，但最好采用一个恒gm的偏置源来稳定增益和输入阻抗以克服温度及电源电压的影响。”
Doesn't anyone have an idea or any comments?
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