平面波入射,激励和边界条件如何设置?
这属于一个平面波入射激励的情况,我不明白波导端口1和2的边界条件该如何怎样设置?谁能提供一个平面波激励的具体例子?具体的激励如何设置?这是用CST模拟的,我用的是HFSS,但肯定是相通的。这方面的资料也很少呀。
这种情况你可以直接用波导端口激励就行,平面波激励一般用于开放边界
把你的模型上传上来
这是物理学报的一篇文章,我想照着做做,
希望高手指点
难道是 传说的左手媒质 lz有理想有抱负
哈哈,这是我师兄的论文,我跟他做一个方向
请krisger 指点一二吧.自己摸索好难的.端口的激励怎么设?端口的边界条件怎么选?
就按照我上面说的和论文中的说明设置就行了
你是说用波导端口激励?有人建议用平面波激励,设置端口为吸收边界.
若用波导端口激励,端口那两个面用不用设边界条件呀?论文只提到了PEC和PHC边界的设置,
我要好好研究研究,hfss挺难学的,很多地方都不太懂.
It is better to use waveguide port for this problem in CST.
Put a waveguide port which touch PEC and PMC boundary will automatically give a port mode in plane wave modes.
You can confirm this by looking at the 2D port modes and its wave impediance will be 376.73 Ohms as those in vaccum.
从这个边界条件来说,应该不是波导,而是周期结构
比如 FSS
我觉得是这样,请多多执教
我想做这个的应该有不少的人。lz可以把你的模型发上来。
一个贴图,资料太少。不太清楚你的目的。
如果波端口阻抗不等于376.73 Ohms 说明什么问题呢?
its wave impediance will be 376.73 Ohms “as those in vaccum”.象真空一样,怎么理解呢?还望指点。
这个是超介质材料的波导仿真法的边界设置方法
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