关于ADS中的拐角模型

最近仿微带线直角拐角，以前一直以为Msabnd和Msobnd这俩模型没区别，以为把M设成0.5，角度设为90°，Msabnd就和Msobnd模型是一样的了，可是实际一仿真，发现二者仿真结果有差别。
参考help文件看了看，也没看出个所以然来。
不知道这俩模型究竟有何区别?
大家谁还碰到过这个困惑可以来讨论下哈O(∩_∩)O~

是有区别的，我也发现了

哟，好久不见呐
真是难得，你还来这里逛逛呢O(∩_∩)O~

啥区别?来，给我们小辈们讲讲O(∩_∩)O~

很明显，这是两个完全不同的结构。
对于前者，当M=0.5，ANG=90度的时候，Msabnd中L=0. 其结构就是一等边直角三角形，腰长即为线宽。
对于后者，Msobnd中的L是不为0的，其形成的并非是等边三角形。
只要生成layout就可以看出其差别。

首先非常感谢您的解答，确实如您所说。
当M>0.5时,L也不为零，我想知道的是Msobnd这个模型是不是某个固定M值时的Msabnd。

每个器件都有自己使用的模型和公式，自然有其适用范围，第一种侧重于任意角度的转角，后一种是直角。
至于‘Msobnd这个模型是不是某个固定M值时的Msabnd’只能问安捷伦了。

额，感谢您的解答O(∩_∩)O~

Microwave office 的帮助文档可能更清晰一点，有的给出了模型的出处。
基本上这些模型都是来源于经验公式，有其适用范围。
要想准确仿真，只能用3D的电磁仿真了。

哦，回头俺再仔细研究研究O(∩_∩)O~