-为什么不能通过增加基片厚度来实现大阻抗微带线

我看好多论文上提到多分支线（3、4）定向耦合器外分支阻抗比较大，工艺难实现，所以要才用这样那样的结构，来使工艺即能实现，阻抗值又不变。当时我就有疑问，为什么不能通过增加基片厚度来实现较大阻抗的微带线呢，只要增加介质厚度，微带线宽度就增加，工艺上就总能实现。
后来我在HFSS里边仿真试了试，增加基片厚度使最小线宽达到TCC工艺要求（原来2层基片，增加到6层最小线宽满足工艺要求），可是，仿真出来的结果无论怎么优化，怎么调试，都比较差，插损、耦合度、带宽、隔离度远不如2层基片（我是采用DGS结构）的结果。增加到6层以后，我也发现有些不对劲，外分支线1/4波长1.39mm，直通臂和耦合臂线宽1.028mm，是不是两个臂离的太近了?
总之，我就是不明白，增加基片厚度以后为什么耦合器的性能会变很差。
我论文是这方面的，希望对这方面比较了解的前辈不吝赐教。非常感谢。