RF功放设计中晶体管的Icq是什么意思？

在设计RF功放时，使用中功率三极管BFG21W，其资料上指示Icq=1mA，如下图：
我初期认为是静态工作点的设置，可用ADS仿真时，集电极电流如果是1mA，输出功率只有18dbm，根本到不了Datasheet上说的26dBm，只有吧集电极电流Ic调整到200mA以上时，输出功率才可达到26dBm。
这下就开始对Icq的意思有点糊涂了，到底是啥意思?
我在另外的功率三极管的Datasheet上也看到类似的说明。如下图是NE664M04的描述：在谈到1db压缩点时提到Icq = 4mA

电路的静态工作点ICQ
不同类别的功放管这个设置不一样的，请参考模拟电子线路设计

我帖子的描述可能没有完全表述我的问题。
其实我想问的是功放管的Datasheet上说Icq=1mA，其1dB压缩点都能到26dBm，可用ADS仿真时，其输出只有很少的增益（Gp<3）,只有Ic到200mA以上时输出功率才能达到26dBm(Gp>15）。那Datasheet上的Icq=1mA时如何使得其输出功率达到较大值?

说明你的负载太小了。偏置电流只影响放大器的工作类型，也就是效率，线性之类的，当然不同的工作类型输出功率会有些许不同，但不超过1.5dB。基本上，偏置电流与1dB压缩点无关。