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飞思卡尔在大失配应用中引入业内首款50 V RF LDMOS功率管

05-08

飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管,工作频率为1.8至600 MHz ,最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像(MRI)扫描仪等应用中所遇到的具有潜在破坏性的阻抗失配条件下使用。新MRFE6VP6300H FET是世界首款50V LDMOS晶体管,在电压驻波比(VSWR)为65:1的负载中提供 300 W CW的全额定输出功率。
MRFE6VP6300H可用于推拉式或单端配置,并放置在紧凑型NI780-4陶瓷封装中。频率为130兆赫时,该设备生成300W的CW输出功率,增益为25分贝,效率达80%。该MRFE6VP6300H还包含创新的静电放电(ESD)保护技术,这不仅使它成为第三类功率器件,还支持大的栅源电压范围(-6V至+10V),因而在高效模式(如C类)下运行时能提高性能。

太牛逼了

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