ADS中做功分器版图仿真时隔离电阻的定义

在做1分4微带型Wilkinson功分器版图仿真时，隔离度在-18db左右，除S11外反射系数在-13左右，S11有-30db，但插损和相位效果比较好，插损在-6.1--6.3间，不知是否是隔离电阻定义的不对，首先是100欧的隔离电阻在Momentum中仿真时是不是需要转换单位?也就是说TFR的阻值不是100 ?在有在Substrate中如何定义电阻所在的层?是不是与导体cond同层?resi层中电阻的值是不是也要换算?单位ohm/square与隔离电阻的100欧之间是什么关系?仿真时短口设置有没有特殊要求?问了老多问题请大家帮忙，多谢了！

谢谢哈
看到这些，自己可以认真学习下

首先回答第一个问题，如果是100欧姆的电阻，是要转换单位的，转换成欧姆每平方，要看你电阻加上去后没有和功分器相连的部分的面积，换算一下
第二个问题，电阻不是放在cond层的，要在momentum中另外定义层，有几个电阻定义几个层，然后再与cond层strip一下
最后的问题，端口设置没有啥要求
以上回答不知道是否解答了你所有的疑问?

你好，我刚接触ADS不久，在学习功分器的设计。对隔离电阻TFR的参数设置不大懂，想请教你一下。比如我现在阻值为100欧姆的隔离电阻，这个阻值跟它的W、L、Rs等参数之间是什么关系?我刚刚看到你说的要转换成欧姆/面积，不明白是什么意思。我查了一下，Rs是表面电阻率的意思，不明白这些参数如何设置，请不吝赐教。非常感谢！

要用薄膜电阻。

学习一下

学习

4楼的问题，。我也想问