CST boundary conditions的设定
2. 在port的设置中,有一项reference plane,因为port不能接触端口,这个reference plane是不是用来确定结构的位置,使得从端口到结构的相位差被减掉呢?
3. 如果2成立,那么请问斜入射时候怎么样确定这个reference plane呢?而且在斜入射时候,unit cell和periodic的boundary condition肯定会使端口和结构接触而导致错误,请问怎样解决这个问题呢?
谢谢达人指教
1.E-wall :Forces E-field perpendicular to the surface
H-wall :Forces H-field perpendicular to surface, E-field tangential
period :在一个方向是的周期延拓,表面场分布满足一维的Flouquet定理。
2.reference plane是在你关心的平面上设置,port与reference plane之间的相位差可以用波程差的概念得到。---你的问题我没看懂。
3.斜入射没涉及过,不清楚
回复 2# vvv
谢谢您回复第一个问题的话,请问E-wall/H-wall是在哪种情况下的设置呢?
第二个问题是说从端口到结构的这段距离的相位差不应该算在“结构实际引起的相位变化”中,是不是就设置这个distance to reference plan来减掉这个“从端口到结构的相位变化“呢?
还没开始搞cst
1.比如说一个波导,采用波导端口激励,沿着Z方向入射,Z方向设为open边界,想要电场方向平行于x方向,那么x方向应设为理想电壁,y方向为理想磁壁,而不是X和Y方向都设为周期边界。
2.这个问题我之前也遇过,从端口到结构的这段距离的相位差不应该算在“结构实际引起的相位变化”中,结构实际引起的相位变化是一定的,由结构决定的,肯定存在一个cell结构大小对应的相位曲线L。但是仿真的时候这个reference plane的位置在结构中位置的不同,反映在port的相位变化上。但是不管你取的参考平面在哪个位置,这样得到的相位曲线S总是和L平行(这里我也不知道怎么表述,但愿能明白曲线平行)。后续的工作中就这个参考平面就不要变了,并以曲线S进行后面的设计,应该就没有什么问题了。据我认为是这样的哈。
说得有点乱
回复 5# vvv 谢谢您的答复
第一个问题中,您的意思是如果设置成periodic,即使激发源为x方向polarization, 在传输过程中也是有可能产生y方向的E分量,而如果设置成电壁,就始终只有x方向有E分量。磁壁亦然.是这个意思吗?第二个问题,您的意思是说S是L的一个上下平移的曲线对吧?但有时候我们就是要确切知道这个phase change,而不是phase change 总体加减一个数啊
1.周期结构的话,肯定会有耦合出现。那么就会产生y方向的E分量。
设置电壁和磁壁,就可以避免这种情况。
但是注意的是,这个只是在仿真,而实际中是不会出现磁壁这种情况的。
2.这个问题我之前也在纠结,但是经过参考平面固定下来后,从port得到的相移曲线进行以后的工作,在我尝试了之后发现是行得通的。你也可以尝试一下,如果不行了,那我也就无能为力了。
之前我在做的时候,就是发现不同人的paper中,相移曲线按照同样的参考平面设置方法,得到的相移曲线是不同的。后来我发现在不同的paper中,他们选取的参考平面也就不同。
回复 7# vvv
大概明白了,谢谢指教!
可以去国外的论坛上找找
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