关于非接触连接
05-08
采用电磁耦合的非物理接触的微带线耦合怎么做到插损小于1dB(15GHz),感觉微带线耦合很难做到这么紧耦合。但国外有资料显示可以做到,就是微带线布在基片的边缘并且终端开路,一个同样微带和基片的距离其0.15mm,在20GHz的时候两者的s21小于1dB?感觉这样不行啊。请问关于微带的强耦合怎么做?
能不能做到还不知道,但是建议小编可以用ADS仿一下,大概10分钟就可以搞定了!如果不知道怎么仿的话,版内回帖告我一声,我来尝试一下!
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