BOND原理
晶片有SOURCE、GATE两个焊线区域,这两个区域的焊接点为一焊点,框架的焊接点为二焊点。焊线过程是在高温下用金线把晶片与框架连接起来。具体分为六部分:
1)在烧球高度,金线从瓷嘴伸出一定长度,打火棒在瓷嘴侧边,通过放电产生高温把金线烧结出金球。
2)瓷嘴下压,末端顶住金球后带动金球下压到第一焊接点的焊垫(铝垫)上。
3)通过超声波发震使金球与焊垫摩擦加热达到金球与焊垫键合的目的。
4)瓷嘴向上移动,并作X、Y、Z轴移动,拉出线弧并到第二焊点。
5)瓷嘴单边压住金线,超声波发震进行第二焊点的键合。
6)线夹夹紧金线与瓷嘴一起上拉,拉断金线并达到烧球高度,完成一个全焊接过程。
怎么没有给我鼓励! 多顶啊
都是赤果果的好帖子啊,那天一定在公司机器上试一下,嘿嘿。
我把所有的好东西都上贴了! 大家多顶啊 !
小编真是专业人士,顶!
大家多支持! 多向里面灌水哈!
又長見視了...
还真不了解原理。多谢小编。
支持就好!
原来是这样,一直以为是硬压上去的,o(∩_∩)o.哈哈:cacakiki3de
老总来啦1! 才回去吧
小编真是专业人士,顶!
多谢! 最近忙 大家多理解 支持哈
小编我想问个问题
就是在键合的时候会出现第一焊点键不上和键合强度不够的问题,我想问我应该从那些方面去分析这个问题呢?
是打火失球;焊接区域表面光洁度不够;瓷嘴下压力过大,破坏了金球;超声震动强度不够,不能使金球和键合区域的金原子发生共振而键合不上(或者过强导致键不上);抑或是在拉丝成弧形时,金丝和焊区的夹角控制不好,导致键合强度不高等等。
我知道键不上和强度不够是两回事,但是同一个原因可能导致这两种情况吧?还有就是关于上面几种失效模式我们该如何排除呢,然后有些什么标准呢?
还望小编多多指点,再推荐电有关方面比较详细的资料,谢谢!
LHD"专业对外承接微组装加工工艺业务。(射频--毫米波段)"
?
有设计能力否,还是只有一个工艺线?
多谢大家支持! 最近天天忙! 没有时间 不好意思!
键合不上! 看你说的原因 应该是超声功率不够! 把功率提高看看!
有设计能力否,还是只有一个工艺线?
这个问题怎么说那! 如果你需要做器件! 我们可以给我提供最好的服务! 我们有很好的一个技术团队
能够用户提供优质的产品, 我主要负责微组装
不错,开了眼界了。呼呼呼:cacakiki15de
顶一下 支持哈 ~!
虽然看不懂,但是仍然要顶
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顶起哈! 大家多交流
长见识了!顶!
路过 大家有好的资料都可以传送上来 我们大家也好学习学习
小编真是专业人士,顶!
奋斗才有机遇
这是一个金丝球焊的键合工艺,不知道小编能否简述一下,一般而言的GaAs MMIC芯片的金丝球焊中的焊球直径大小,金丝最小间距,以及热台温度,功率大小等!
谢谢!
好帖,一定要顶
学习了~·
专业人士!
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