BOND原理

金球BOND原理
晶片有SOURCE、GATE两个焊线区域，这两个区域的焊接点为一焊点，框架的焊接点为二焊点。焊线过程是在高温下用金线把晶片与框架连接起来。具体分为六部分：
1）在烧球高度，金线从瓷嘴伸出一定长度，打火棒在瓷嘴侧边，通过放电产生高温把金线烧结出金球。
2）瓷嘴下压，末端顶住金球后带动金球下压到第一焊接点的焊垫（铝垫）上。
3）通过超声波发震使金球与焊垫摩擦加热达到金球与焊垫键合的目的。
4）瓷嘴向上移动，并作X、Y、Z轴移动，拉出线弧并到第二焊点。
5）瓷嘴单边压住金线，超声波发震进行第二焊点的键合。
6）线夹夹紧金线与瓷嘴一起上拉，拉断金线并达到烧球高度，完成一个全焊接过程。

怎么没有给我鼓励！ 多顶啊

都是赤果果的好帖子啊，那天一定在公司机器上试一下，嘿嘿。

我把所有的好东西都上贴了！ 大家多顶啊 ！

小编真是专业人士，顶！

大家多支持！ 多向里面灌水哈！

又長見視了...

还真不了解原理。多谢小编。

支持就好！

原来是这样，一直以为是硬压上去的，o(∩_∩)o.哈哈：cacakiki3de

老总来啦1！ 才回去吧

小编真是专业人士，顶！

多谢！ 最近忙 大家多理解 支持哈

小编我想问个问题
就是在键合的时候会出现第一焊点键不上和键合强度不够的问题，我想问我应该从那些方面去分析这个问题呢?
是打火失球；焊接区域表面光洁度不够；瓷嘴下压力过大，破坏了金球；超声震动强度不够，不能使金球和键合区域的金原子发生共振而键合不上（或者过强导致键不上）；抑或是在拉丝成弧形时，金丝和焊区的夹角控制不好，导致键合强度不高等等。
我知道键不上和强度不够是两回事，但是同一个原因可能导致这两种情况吧?还有就是关于上面几种失效模式我们该如何排除呢，然后有些什么标准呢?
还望小编多多指点,再推荐电有关方面比较详细的资料，谢谢！

LHD"专业对外承接微组装加工工艺业务。(射频--毫米波段)"

?
有设计能力否，还是只有一个工艺线?

多谢大家支持！ 最近天天忙！ 没有时间 不好意思！
键合不上！ 看你说的原因 应该是超声功率不够！ 把功率提高看看！

有设计能力否，还是只有一个工艺线?
这个问题怎么说那！ 如果你需要做器件！ 我们可以给我提供最好的服务！ 我们有很好的一个技术团队
能够用户提供优质的产品， 我主要负责微组装

不错，开了眼界了。呼呼呼：cacakiki15de

顶一下 支持哈 ~！

虽然看不懂，但是仍然要顶

顶就好！ 大家多支持

顶起哈！ 大家多交流

长见识了！顶！

路过 大家有好的资料都可以传送上来 我们大家也好学习学习

小编真是专业人士，顶！

奋斗才有机遇

这是一个金丝球焊的键合工艺，不知道小编能否简述一下，一般而言的GaAs MMIC芯片的金丝球焊中的焊球直径大小，金丝最小间距，以及热台温度，功率大小等！
谢谢！

好帖，一定要顶

学习了~·

专业人士！