硅-硅直接键合技术的特点和发展

硅-硅直接键合技术（Silicon direct bonding, SDB）是键合技术中提出较晚，但是发展最为迅速，人们研究最多，应用最广泛和最为重要的键合技术之一。硅-硅直接键合技术就是将两个抛光硅片经化学清洗和活化处理后在室温下粘贴在一起，再经过高温退火处理，使键合界面发生剧烈的物理化学反应，形成强度很大的化学共价键连接，增加键合强度而形成统一整体。硅-硅直接键合技术是IBM公司的Lasky等人在1985年的国际电子器件年会上首先提出[5]，主要目的是提出了一种制备高质量的SOI（Silicon on insulators）衬底材料的新方法。硅-硅直接键合技术工艺简单，两键合片的晶向、电阻率、导电类型可自由选择，且与半导体工艺完全兼容，因此迅速引起了人们的研究兴趣并得到了迅速的发展。如今，硅-硅直接键合技术已经从制备SOI材料发展到亲水键合、疏水键合、低温键合等新技术，广泛应用于SOI材料，功率器件和MEMS器件等领域[6]，是一项充满活力的高新技术，对我国新技术的发展有十分重要的意义。