如何提高谐振腔的带宽？

采用温度系数低高介质材料作为补偿。

可不可以用两个谐振腔耦合来提高带宽?：cacakiki16de

TE111模的Q值不算高吧?它在一定条件下是圆柱谐振腔的主模，所以调谐带宽相对较宽，但存在极化简并现象，导致模式跳变，使得带宽减小。
TE011虽然是高次模式，但它的Q值较高，要求高Q值的时候通常选用这个模式；相对于TE011模式，TE013模式的调谐带宽要宽得多，但由于它是更为高次的模式，所以不但不容易激励，也很容易产生模式跳变现象。
提高温度稳定性只有借助于低膨胀系数的材料。
请问小编做这个腔用在哪里?

我用的地方Q值要求不高，只要400~500就可以了。
带宽大了，温度变化时，腔的谐振频率不容易“漂”出带宽外么?
所以希望带宽大。
耦合方式的改变是否会影响带宽?
我用的是探针耦合，改用磁环耦合是否要好些?
提高温度稳定性，只有用低膨胀系数的腔体材料这种方法?
我准备试试在腔中填充介质，如果不采用“介电常数”补偿的方法而采用“机械补偿”就是利用介质材料膨胀体积补偿，填充的介质用低膨胀系数的好还是用高膨胀系数的材料好呢?

温度变化时，导致谐振频率发生漂移，是由于温度变化致使谐振腔发生形变，腔体尺寸发生了变化，最终谐振频率发生变化。即便谐振模式的带宽很大，也会发生漂移的，因为这时谐振腔对应模式的谐振频率发生变化了。
耦合包括耦合的位置以及耦合的方式（探针，磁环或小孔）。耦合位置的选取至关重要，它直接决定是否能激励起所需要的谐振模式，通常选择场强较大的地方，这样可以提高对应模式耦合的强度。耦合方式无论选那种，都要尽量保证耦合点处的场强尽量连续，这样更容易激励起需要的模式。
通常选择低膨胀系数的材料是非常有效的方法。
你想填充介质实际上是利用了介质与腔体材料的膨胀系数不同，温度发生变化时形变不同，从而可能产生一定的补偿。这种方法也有人使用。但我觉得不如使用低膨胀系数材料有效。